RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,069.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
106
Wokół strony -253% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
3657
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link