RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
106
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,069.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
1863
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link