RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
106
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,069.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
1843
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link