RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3337
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link