RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2728
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link