RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2417
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link