RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2417
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link