RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2955
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link