RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2179
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link