RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
64
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2205
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link