RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2442
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link