RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
70
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
70
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
1838
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link