RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
43
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2058
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link