RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
47
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2640
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link