RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
60
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2666
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link