RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
60
Около -173% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2666
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link