RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3700
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link