RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3317
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link