RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
3317
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link