RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2672
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link