RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2288
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link