RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2288
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link