RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
1966
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link