RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3116
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link