RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
3116
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link