RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
9.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
6.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1958
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link