RAM-Vergleich Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Gesamtnote

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.6 6.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 42

Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.4 9.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2423 1958

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns