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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 6.4
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 42
    En -35% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.4 left arrow 9.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 6.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 9.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2423 left arrow 1958

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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