Confronto tra le RAM Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 42

Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.4 9.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2423 1958

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns