RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2512
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link