RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
4124
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link