RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2795
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link