RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2346
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link