RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3020
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link