RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3726
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link