RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3273
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link