RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3273
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link