RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2654
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link