RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
72
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
72
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
1817
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link