RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2659
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link