RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3773
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link