RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3773
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link