RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2687
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link