RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3136
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link