RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
4064
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link