RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2880
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link