RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
79
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
79
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
1710
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link