RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3120
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link