RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
40
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3372
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link