RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
53
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2319
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link