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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
53
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
53
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2319
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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